"ИНТЕГРАЛНА И ДИСКРЕТНА ОПТОЕЛЕКТРОНИКА"

Отговорник на магистратурата:
доц. д-р Станислав Лилов
тел: 81 61 832 (ФзФ А218)
e-mail: lilovsk@phys.uni-sofia.bg

Специалност: Инженерна физика
» Форма на обучение: редовно (задочно)
» Срок на обучение: 3 (4) семестъра
» Брой задължителни дисциплини / часове: 8 / 525 (8 / 267)
» Минимален брой часове от избираеми дисциплини: 405 (209)
» Брой ECTS – кредити: 90 (90)
» Завършване на обучението: Дипломна работа със защита в III (IV) семестър
» Професионална квалификация: Магистър по Инженерна физика – интегрална и дискретна оптоелектроника

Магистърската програма е предназначена за студенти с бакалавърска степен по физика, инженерна физика, химия и физика, физика и математика и др. на СУ "Св. Кл. Охридски" или друг ВУЗ със сродни специалности.

АНОТАЦИЯ

Магистърската програма е предназначена за студенти с бакалавърска степен по физика, инженерна физика, химия и физика, физика и математика и др. на СУ "Св. Кл. Охридски" и интереси в областта на микро и оптоелектрониката. За кандидати, завършили сродни специалности с бакалавърска или магистърска степен от други ВУЗ се провеждат предварителен разговор, интервю. Ако е необходимо се предлага допълнително обучение по някои дисциплини към бакалавърската степен. Целта на магистратурата е получаване на теоретични знания и експериментална подготовка по физика за най-съвременни въпроси от областта на оптоелектрониката, за да могат завършилите специалисти да участват в получаването, изследването и прилагането на интегрални и дискретни полупроводникови оптоелектронни прибори. Обучението по магистърската програма се осъществява от преподаватели от катедра "Физика на полупроводниците" и Лаборатория "Физика и техника на полупроводниците", които са и известни специалисти в научно изследователските области по съответните дисциплини. В лекционните курсове се разглеждат физичните процеси и технологии, представляващи основа на явленията и приборите за оптоелектрониката като електронни и оптични свойства и рекомбинационни процеси в полупроводници, интегрална оптоелектроника, кристален растеж, технология на оптоелектронни прибори и др. В практикумите се изследват лабораторно и чрез моделиране основните оптоелектронни процеси и параметри на активни оптоелектронни прибори. Специализиращите практикуми включват епитаксиално израстване чрез високи технологии на тънки слоеве и структури от полупроводникови съединения и твърди разтвори А3В5 и А4В6 и изследване на техни структурни, оптични, електрични и други свойства. Те се провеждат в научно изследователските лаборатории и "чистата стая" на Лабораторията по физика и техника на полупроводниците, която е интегрирана в учебно и научно отношение с катедрата. Завършилите магистратурата студенти могат да се реализират като специалисти в областта на микроелектрониката, оптоелектрониката, влакнестооптичните комуникации, прилагането на модерни физични методи и апарати в медицината и много други области.