ЛФТП е създадена през 1963 г. с пръв ръководител проф. М. Молдованова. През 1965 г. започва разработването на технологии за монокристали от галиев арсенид. Чрез голям брой научно приложни договори са разработени за първи път у нас редица технологии и полупроводникови прибори за оптоелектрониката и СВЧ- електрониката: светодиоди, лазерни диоди, цифрова матрица, фотодиоди, оптрон, Гън диоди, Хол датчици и др. След създаването на технологична база за обемни кристали от полупроводници А3В5 се разработват и епитаксиални методи за израстване на съединения и твърди разтвори от А3В5 и А4В6.

Паралелно с технологичните методи се създават и развиват методики за характеризиране на полупроводникови материали: оптични методи- Фурие спектроскопия, електро- и фотолуминесценция; галвано-магнитни и електрофизични измервания; структурни изследвания и др. Част от изследванията са предмет на международно сътрудничество с други университети и лаборатории: в Солун- Аристотел, Белоруския университет и БПИ в Минск, университета в Линшопинг, Швеция, Лабораторията по широкозонни полупроводници в университета в Киото и др.