По-важните постижения в обучението и научно-изследователската работа на катедра "Физика на полупроводниците" съвместно с "Лаборатория по Физика и техника на полупроводниците" са:

» Разработени за първи път в България:
- технология за получаване на обемни кристали от GaAs, GaP, InP, GaSb, SiC
- Инфрачервени светодиоди от GaAs
- Инфрачервени фотодетектори от PbSnTe
- Светодиоди и цифрови индикатори за видимия диапазон от GaP и GaAsP
- Гън-диоди от GaAs
- Импулсни лазери от GaAs - AlGaAs
- Лазери за влакнесто-оптична връзка

» Организирана международна конференция по "Оптично характеризиране на полупроводници" (София, август 1990), сателитна конференция на XX-та международна конференция по физика на полупроводниците (Солун, август 1990),
Председател проф. дфзн Деян Кушев.

» Организирана школа за висши изследвания (Advanced Study Institute) по програма на НАТО на тема: "Fabrication, properties and applications of low dimensional semiconductors"
Директори: проф М.Балкански и доц. И.Янчев (Созопол, 1994)

» Организирани олимпиади по физика на френски език с ученици от Френската и Испанската гимназии.

» Успешно приключени два проекта "Хаотично поведение на слоисти кристали А3В6" съвместно с комисията на ЕС (1997 и 2000)

» Успешно изпълнени осем проекта "Хаотично поведение на слоисти кристали А3В6" съвместно с отдела за наука към НАТО.

» Поставен и изпълнен експеримент "Израстване на кристали от суперйонен проводник в условия на безтегловност" по време на космическия полет на втория Български космонавт.

» Изследване на процеси на израстване и легиране на обемни монокристали и епитаксиални слоеве от SiC.

» Излъчвателна рекомбинация и електронен транспорт в полупроводници с преки преходи ( GaAs,GaP,GaN,InN ).

» Оптично характеризиране на полупроводници.

» Дълбоки нива, образувани от точкови и комплексни дефекти в полупроводници от типа А3В5 и влиянето им върху оптоелектронните свойства.